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2009年04月29日 星期三

Tessera互連、元件與材料部門資深副總裁Craig Mitchell
SiP主外 3D IC主內,兩者是互補技術

3D IC作為新興的半導體製程技術之一,已吸引許多關注的目光,但同時也引來許多的爭議。尤其是與SiP技術間的差異。對此,專精於晶片封裝的半導體技術供應商Tessera提出了獨到的看法。

SiP技術已普遍用在手機上

Tessera互連、元件與材料部門資深副總裁Craig Mitchell表示,在現今市場上,SiP技術已普遍用在手機上。尤其在智慧型手機中,可以找到兩到三個,甚至是四個SiP,因為這項技術已被廣泛地運用在藍牙、WiFi與GPS等無線技術上。此外,快閃記憶卡也可被視為SiP應用的一種。隨著這些應用的普及,每年約有數十億顆SiP晶片被製造並銷售到市面上。

單就手機市場的普遍應用來看,Mitchell認為SiP的基礎技術已相對成熟。然而,SiP應被視為能夠不斷發展的工具套件,以符合特定應用在尺寸、效能,或是價格需求。但他也指出,SiP技術仍存在許多挑戰,其中最主要的挑戰為訊號整合、功率分佈及散熱,尤其是在嘗試結合類比與數位科技時。同時,為了能更完整地發揮SiP技術的優勢,設計與製模工具也需要被有效地改善。

3D IC是電子裝置持續微型化與整合的重要階段

至於3D IC技術,Mitchell表示,3D IC是電子裝置持續微型化與整合的下個重要階段。在整體半導體產業中,許多公司都在研發能符合該領域需求的技術,而矽穿孔(TSV)就是一項特殊的技術,並已引起市場的高度關注,許多公司也已推出適合量產的TSV技術。

SiP與3D IC是互補的技術 而非競爭

而對於SiP與3D IC之間的爭議,Mitchell則認為,SiP與3D IC是互補的技術,而非相互競爭。他表示,這兩項技術在3D整合工具套件中,皆有相當的價值。相較於SiP技術在「晶片外(off-chip)」封裝所造成的延遲與互連密度限制,3D IC技術則是藉由提供裝置間虛擬的「晶片上(on-chip)」路由,能在晶片間提供更高速度與更大的頻寬。另一方面,由於SiP技術運用已完善建立的基礎架構,因此成本通常較低,且較容易建置。

Mitchell強調,每一項新技術都會面臨挑戰,而且在大多數的情況裡,這些挑戰都會被克服。雖然這些挑戰通常都與特定應用相關,但3D IC技術一般來說會面臨的主要挑戰包含:有效的設計與製模工具、電源管理、熱量管理、基礎建設的完善度,以及最終成本的控制。此外,隨著這個產業朝向異質3D IC堆疊整合的方向發展,為了解決良裸晶粒(known-good-die)問題,並協調不同裝置來源的設計與產品,將會衍伸出物流與商業上的諸多挑戰。



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